英诺赛科起诉英飞凌及芯沃科专利侵权：氮化镓(GaN)技术之争升级

英诺赛科(02577.HK)近日公告，公司及其全资子公司英诺赛科(苏州)半导体有限公司(以下简称“英诺苏州”)已向中国江苏省苏州市中级人民法院起诉英飞凌科技(中国)有限公司、英飞凌科技(无锡)有限公司及苏州芯沃科电子科技有限公司，就两项氮化镓(GaN)相关专利提起诉讼。

此次诉讼涉及两项专利：202311774650.7号专利(一种氮化镓(GaN)功率器件及其制备方法)和202211387983.X号专利(一种氮化物基半导体器件及其制造方法)。英诺苏州为这两项专利的专利权人，英诺赛科拥有其许可。

英诺赛科指控英飞凌及其分销商芯沃科未经授权销售、进口和许诺销售侵犯其专利的氮化镓(GaN)半导体器件。起诉状指出，英飞凌科技(中国)有限公司作为进口商和总经销商，其全资子公司英飞凌科技(无锡)有限公司为英飞凌中文网站的备案主体，该网站宣传销售相关产品；而芯沃科则被指为英飞凌在中国地区的增值分销商。英诺赛科认为三被告的行为构成了专利侵权，要求其停止侵权行为并赔偿损失。

英诺赛科强调，此次诉讼不会对公司正常业务运营产生不利影响，并表示将继续积极寻求法律意见，维护公司及股东利益。

此次诉讼是氮化镓(GaN)领域专利之争的最新案例，也凸显了该领域技术竞争的激烈程度。氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料，具有高效率、高功率密度等优势，在5G、新能源汽车、充电桩等领域应用广泛，市场前景广阔。英诺赛科作为氮化镓领域的龙头企业，此次维权行动也对其在该领域的市场地位和技术领先性具有重要意义。

未来，随着氮化镓(GaN)技术的持续发展和应用普及，类似的专利纠纷可能会进一步增多。相关企业需要加强知识产权保护，同时也要密切关注行业动态，积极应对市场竞争。